PMV45EN2R_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
PMV45EN2R 是一款高性能N沟道MOS管，选用紧凑型SOT-23封装，尤其适合对空间利用有严格要求的电路设计。其核心技术指标包括最高30V的漏源极击穿电压(VDSS)，以及4A的连续漏极电流(ID)，彰显出强大的电流处理性能。更值得关注的是，该器件具有优越的导通电阻(RD(on))仅为29mΩ，旨在最大程度地减少功率损耗，提高系统效能。这款MOS管广泛应用于电源转换器、充电器、电机驱动等需高效能、低阻抗元件的电子产品中。
