FDN359AN_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
FDN359AN 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经济型SOT-23封装，特别适用于紧凑空间的电路设计。器件拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，能持续输出4A的漏极电流(ID)，以满足不同功率需求。其引人注目的特点是导通电阻(RD(on))低至29mΩ，确保在运行过程中显著降低功耗，提升系统能效。FDN359AN MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是追求高效节能解决方案的理想之选。
