FDN357N_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDN357N 是一款N沟道MOSFET，采用微型SOT-23封装，特别适用于紧凑型电路设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)和4A的连续漏极电流(ID)，确保强大的电流处理性能。其导通电阻(RD(on))低至29mΩ，有效减少功耗，提升系统效率。FDN357N MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等各类电子设备中，是您构建高效、节能方案的理想半导体组件。
