BSS316N_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSS316N 是一款N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装，适用于紧凑型电路设计。器件支持高达30V的最大漏源电压(VDSS)，并能安全处理4A连续漏极电流(ID)，展现出优越的电流承载能力。其29mΩ的低导通电阻(RD(on))意味着在运行中将有效减少功耗，提升系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等各类电子设备，是高集成度与节能性能的理想半导体组件。
