MGSF1N03LT1_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
MGSF1N03LT1 是一款高品质N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装形式，尤其适合现代紧凑型电路设计。器件具有30V的VDSS耐压值，能够承受4A的连续漏极电流，表现卓越。其突出特点是仅29mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效提高系统能效，降低损耗。此款MOS管适用于多种场景如电源转换、负载开关控制等，以其高性能与节能特性成为众多电子设计的理想元件选择。
