NDS355AN_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
NDS355AN是一款N沟道MOSFET，采用精巧的SOT-23封装，专为现代高集成度电子设计打造。该器件在30V的VDSS电压下运行稳定，可提供高达4A的连续漏极电流，展现强劲电力处理性能。其导通电阻RD(on)仅为29mΩ，极大提高了能源转换效率，降低了系统损耗。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多种应用场景，是兼顾高效能与小型化的理想半导体解决方案。
