ZXMN3A01F_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/4.0A 参数4：RDON/29.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ZXMN3A01F 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高效、节省空间的设计方案打造。该器件能在30V的VDSS电压下稳定运行，提供4A的最大连续漏极电流，满足高功率需求。其导通电阻RD(on)低至29mΩ，有效提升能源转换效率，降低损耗。广泛适用于电源转换、电机驱动、负载开关等各种场合，是实现高性能、节能电子设计的理想半导体元件。
