FDS6670A_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOP-8 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:3000圆盘 参数1:N沟道 参数2:VDSS/30.0V 参数3:ID/18.0A 参数4:RDON/5.0mR 标价:欢迎咨询
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产品介绍
FDS6670A 是一款高性能N沟道MOSFET,采用SOP-8封装形式,专为高效率、大电流应用设计。该器件拥有30V的最大漏源电压VDSS,可承载高达18A的连续漏极电流ID,确保在高功率系统中保持稳定性能。其独特之处在于其超低导通电阻RD(on)仅为5.5mΩ,有效降低功率损耗,提升整体能效。FDS6670A MOS管适用于电源转换、电机驱动及其它高电流场合,以卓越的电气性能为您的设计带来更高水准的可靠性与效率。