SI4386DY-T1-E3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/18.0A 参数4：RDON/5.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI4386DY-T1-E3 是一款高效能N沟道MOS管，采用节省空间的SOP-8封装，专为优化电路布局设计。该器件能在30V的最大稳态电压下稳定工作，峰值电流可达18A，展现卓越的电流处理能力。同时，其优秀的导通电阻仅有5.5mR，显著提升了电源转换效率，减少能量损失，并适用于各类高端电源管理、马达驱动以及其他高电流、低阻抗的应用场景。
