SI4168DY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/18.0A 参数4：RDON/5.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI4168DY-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用紧凑型SOP-8封装，专为高密度电子设计打造。该器件支持30V的最大漏源电压（VDSS），可处理高达18A的连续电流，展现了卓越的电流承载能力。其独特亮点是拥有低至5.5mR的导通电阻（RD(on)），助力系统提升能效，降低功耗，广泛适用于电源转换、电机驱动和其他需高效能、低阻抗半导体组件的领域。
