PHKD6N02LT_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/21.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
型号PHKD6N02LT 的MOS管，封装采用紧凑型SOP-8，特别适合空间有限的设计需求。作为一款高性能NN沟道MOS管，其核心参数出色，额定电压VDSS高达20V，连续电流ID最大可承载6A，展现强大驱动能力。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)，仅为21mΩ，显著减少功率损耗，提升整体效能。此款MOS管广泛应用于各种电源转换、电机控制等高端电子电路中，是工程师实现高效能解决方案的理想之选。
