SI4946BEY-T1-E3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/6.5A 参数4：RDON/32.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
型号SI4946BEY-T1-E3 的NN沟道MOS管，采用SOP-8封装技术，专为高效能、高集成度的电子设计打造。该器件具备出色的工作性能，最大电压VDSS高达60V，连续电流ID支持6.5A，适用于高电压大电流应用场景。导通电阻RD(on)低至32mR，显著减少功率损耗，提升系统能效比。广泛应用于电源管理、马达驱动、逆变器等领域，是工程师在设计高性能、节能型电路时的理想选择。
