DMN6066SSD_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/6.5A 参数4：RDON/32.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
型号DMN6066SSD 的NN沟道MOS管采用SOP-8封装，针对高功率密度和高效能电路设计。该器件具备强大性能，最大工作电压VDSS为60V，连续电流ID高达6.5A，适合高压大电流应用环境。其导通电阻RD(on)低至32mR，有效减少功率损耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是工程师设计高性能、节能电子设备的理想MOS管组件。
