SI4174DY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/15.0A 参数4：RDON/7.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI4174DY-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOS管，采用小型化SOP-8封装设计，专为现代精密电子设备量身打造。该器件具备30V的最大漏源极耐压(VDSS)，并能在高效率下稳定承载15A的连续漏极电流(ID)，表现出色。尤为突出的是其低至7.5mΩ的导通电阻(RD(on))，在运行过程中可大幅减少能量损耗，提升整体能效。这款MOS管凭借其卓越的电气性能和可靠性，成为众多电源管理、电机驱动等应用领域的理想之选。
