SI4427BDY-T1-E3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/18.0A 参数4：RDON/7.5mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SI4427BDY-T1-E3 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，专为高性能、低损耗应用设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达18A的连续漏极电流，突显其卓越的电流处理性能。其导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ，助力实现高能效、低损耗的电力转换。广泛应用于电源管理、电机驱动、快速开关电路等场合，是追求高效率和可靠性的理想半导体组件。
