FDS6673BZ_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/18.0A 参数4：RDON/7.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDS6673BZ 是一款P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高效能、低损耗的大电流应用设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，并能承载高达18A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输性能。其7.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))显著提升了系统能效，降低了运行损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、开关电源控制器等领域，是高要求电子设计的理想半导体元件。
