DMN3018SSS_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/8.5A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN3018SSS N沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为高效率电路设计。器件参数优秀，具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载8.5A连续电流，且导通电阻低至14mΩ，确保在大电流应用中实现卓越的能效表现。广泛运用于电源转换、电机控制、快速开关等场景，以其出色的电流承载能力和高电气性能，为您的电路设计提供有力支持。
