NTMD4820NR2G_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/8.5A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTMD4820NR2G N沟道MOSFET采用SOP-8封装，适用于高效能电路设计。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可轻松处理高达8.5A的连续电流，且导通电阻仅为14mΩ，确保了在大电流应用中的优异能效与低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域，以其卓越的电流处理能力和出色的电气性能，成为您电路设计的理想选择。
