SI4800BDY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/8.5A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI4800BDY-T1-GE3 N沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，专为高效率电源管理和电机控制设计。该器件拥有30V的最大漏源电压(VDSS)，能提供高达8.5A的连续电流，且导通电阻低至14mΩ，确保在大电流应用环境下仍然保持卓越的性能和能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，为您的电路设计带来强大的电流处理能力和杰出的电气性能表现。
