DMN3018SSD_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/8.5A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN3018SSD N沟道MOSFET采用业界标准SOP-8封装，为高功率应用提供卓越性能。该器件具备30V的最大漏源电压(VDSS)，能够持续输出8.5A电流，而14mΩ的导通电阻使得在大电流传输时保持低功耗与高效率。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关等场景，以出色的电流承载能力和稳定的电气性能，成为您电路设计的得力助手。
