Si4178DY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/8.5A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
Si4178DY-T1-GE3 N沟道MOSFET采用SOP-8封装形式，专为高效能、大电流应用设计。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，并能稳定传输8.5A连续电流，其出色的导通电阻仅为14mΩ，确保在高负载条件下仍能保持高效率和低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场景，凭借卓越的电流处理能力和优异的电气性能，为您的电路设计提供有力支持。
