SI4410BDY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/8.5A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI4410BDY-T1-GE3 N沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高效率、大电流应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载8.5A连续电流，且导通电阻低至14mΩ，确保在高负载条件下仍能保持出色的能效和低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等场合，凭借卓越的电流处理能力和稳定的电气性能，成为电路设计的理想之选。
