ZXMN3A06DN8_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/25.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ZXMN3A06DN8 是一款高性能NN沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装技术，专为现代电子设备提供高效能电流控制。其核心优势在于最大工作电压VDSS高达30V，支持6A的连续漏极电流，确保卓越的电力传输能力；导通电阻RD(on)仅为25mΩ，有效降低功率损耗，提升系统整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是您设计高集成度、节能电子产品的理想MOS管解决方案。
