SI4936CDY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/6.0A 参数4：RDON/25.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SI4936CDY-T1-GE3 是一款高性能NN沟道MOSFET，采用标准SOP-8封装，专为现代电子设备提供强大电流处理能力。其核心优势在于最大工作电压VDSS高达30V，可承载6A连续漏极电流，满足高功率需求；导通电阻RD(on)低至25mΩ，有效减少系统功耗，提高能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域，是您实现高效、节能设计的理想MOS管器件选择。
