FDS4685_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/13.0A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDS4685 P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为高功率、高效率应用设计。该器件具有40V的漏源电压(VDSS)，能在14mR的超低导通电阻(RD(on))下，支持高达13A的持续漏极电流(ID)。广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动等领域，凭借其出色的电流处理能力和卓越的能效表现，是优化系统性能和节能降耗的理想选择。
