SI4447DY-T1-E3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/13.0A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI4447DY-T1-E3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用SOP-8封装，专为高功率和高效率应用设计。器件拥有40V的漏源电压(VDSS)，并能在仅仅14mR的导通电阻(RD(on))下，安全承载高达13A的漏极电流(ID)。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，此款MOS管凭借其出色的电流处理能力和优秀的能效表现，成为您提升系统效能和节能的关键元件。
