IRL6372PBF_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/10.0A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRL6372PBF 是一款高性能NN沟道MOSFET，采用经典SOP-8封装形式，适用于广泛的电路设计需求。器件特点在于30V的漏源电压(VDSS)，能够承载10A的连续漏极电流(ID)，并且其低至14mΩ的导通电阻(RD(on))有效保障了在高电流应用下的低功耗与高效能。广泛运用于电源转换、负载切换、电机驱动等相关领域，是优化系统性能的理想半导体元件选择。
