ZXMN3A04DN8_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/10.0A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ZXMN3A04DN8 是一款高性能NN沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适配于多样化的电路设计需求。器件具有30V的漏源电压(VDSS)，可稳定承载10A的连续漏极电流(ID)，且其14mΩ的低导通电阻(RD(on))助力系统实现卓越的能效与低损耗表现。广泛应用于电源管理、开关稳压器、电机驱动等行业，是提高系统性能的理想半导体器件选择。
