DMT69M8LSS_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/10.0A 参数4：RDON/10.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMT69M8LSS 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型SOP-8封装，适用于紧凑型电路设计。器件具备60V的漏源电压(VDSS)，能够稳定承载10A的连续漏极电流(ID)，其低至10mΩ的导通电阻(RD(on))确保了在高电压应用中的高效能与低功耗表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景，是提升系统性能和节能效果的理想半导体元件。
