SI4435DDY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/9.0A 参数4：RDON/18.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI4435DDY-T1-GE3 型号MOS管采用高效P沟道工艺，封装于小巧的SOP-8封装中，专为高集成度电路设计。在30V额定电压VDSS下，该器件可轻松应对9A的连续漏极电流ID，且拥有出色的18mR导通电阻RD(on)，实现卓越的能效和低功耗表现。广泛应用于电源管理、电机驱动等众多场景，是优化系统性能和节能减排的理想半导体元件。
