SI9926CDY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/8.0A 参数4：RDON/13.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI9926CDY-T1-GE3 型号MOS管采用创新NN沟道工艺，封装在节省空间的SOP-8封装形式中，专为现代高集成度电子设备设计。在20V额定电压VDSS下，器件可稳定承载8A的连续漏极电流ID，并配备超低的13mR导通电阻RD(on)，实现高效率与低功耗运行。广泛应用于电源转换、负载驱动等领域，是优化系统性能和节能效果的理想半导体器件。
