SI4202DY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/11.5A 参数4：RDON/10.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SI4202DY-T1-GE3 是一款高端NN沟道MOSFET，采用小型化SOP-8封装工艺，旨在满足现代电子设备对高效、紧凑设计的需求。其核心技术参数包括耐受电压VDSS高达30V，最大连续漏极电流ID为11.5A，充分展现强大的电力处理效能。特别强调的是，器件的导通电阻RD(on)仅为10mR，有助于大幅削减功耗，实现更高的能源利用效率。
