SI4925BDY-T1-E3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P+P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/11.0A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI4925BDY-T1-E3 型号MOS管采用紧凑型SOP-8封装，内部集成高效PP沟道技术。器件支持30V的漏源电压(VDSS)，能稳定处理11A的连续漏极电流(ID)，适用于各类中高电流应用场合。其亮点在于仅14mR的导通电阻(RD(on))，有效提升能源利用率并降低功耗。该MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动控制以及各类高效率开关电路设计，是工程师优化电路性能、实现节能目标的理想半导体组件。
