AOSP21321_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/11.0A 参数4：RDON/13.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOSP21321 型号MOS管，封装形式为SOP-8，内置先进的P沟道技术。器件具备高达30V的漏源耐压(VDSS)，可承载强大的11A连续漏极电流(ID)，特别适合高电流应用场合。其引人注目的特点在于仅有13mR的超低导通电阻(RD(on))，有效提高能源效率，降低系统发热。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动及大电流开关控制等领域，是工程师优化电路设计的理想半导体组件。
