SI4835DDY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/11.0A 参数4：RDON/13.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI4835DDY-T1-GE3 型号MOS管，采用SOP-8封装，内部集成高性能P沟道技术。本器件最大漏源电压(VDSS)达30V，支持高达11A的连续漏极电流(ID)，以满足严苛的大电流需求场景。其卓越的导通电阻仅13mR(RD(on))，在业界同类产品中表现出色，有助于提升系统效率并减少能量损失。广泛应用在电源管理、电机驱动及高电流开关控制器设计中，是您打造高效能电子产品的理想之选。
