FDS4935BZ_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P+P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/11.0A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDS4935BZ 型号MOS管，采用SOP-8封装，内部集成了高效的PP沟道技术。此器件额定漏源电压(VDSS)高达30V，可承受稳定的11A连续漏极电流(ID)，尤其适用于高电流处理应用。值得一提的是，其优异的导通电阻低至14mR(RD(on))，在保证卓越性能的同时有效减少了功率损耗。此MOS管广泛运用于电源转换、电机驱动、以及高功率开关电路设计中，助力您构建更高效率的电子产品方案。
