DMN2009USS_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/6.3mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN2009USS 型号MOS管采用精巧SOP-8封装，内含高效N沟道技术，专为高功率应用设计。该器件拥有20V的漏源电压(VDSS)，确保在20A连续漏极电流(ID)下的稳定工作，展现卓越的电流承载能力。其导通电阻(RD(on))低至6.3mR，极大地提高了电能转换效率并降低热量损耗。广泛应用于电源管理、马达驱动、高电流开关控制等场景，是提升电子设备性能和节能表现的优选半导体元器件。
