SI4925DDY-T1-GE3_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000圆盘 参数1：P+P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/11.0A 参数4：RDON/14.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI4925DDY-T1-GE3 是一款PP沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于现代电子设备的高效集成设计。该器件具备30V的额定电压VDSS和11A的连续电流ID，展示出优良的电力控制性能。其导通电阻RD(on)为14mΩ，能在有效控制功耗的同时提升系统效率。广泛应用于电源转换、电池管理、负载开关以及其他需要高效低耗能MOS管的场合，是您实现精准控制与节能设计的理想半导体组件。
