IRFH7914PBF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/70.0A 参数4：RDON/5.7mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFH7914PBF N沟道MOS管采用先进的DFN5X6-8L封装，体积小巧，适用于高密度电路设计。其拥有30V的额定电压VDSS和高达70A的连续漏极电流ID，确保了强大的电力处理能力。特别值得一提的是，该器件具有超低的导通电阻RD(on)仅为5.7mΩ，可显著降低功耗，提升系统能效。无论是电源管理还是高速开关应用，这款MOS管都能提供卓越的性能表现。
