NTMFS4927N_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/70.0A 参数4：RDON/5.7mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTMFS4927N N沟道MOS管采用了先进的DFN5X6-8L封装技术，具有紧凑、高效的特点，尤其适合于空间有限的电路板布局。该器件核心参数强大，工作电压VDSS高达30V，连续漏极电流ID可达70A，保证了在大电流环境下的稳定工作性能。尤为突出的是其超低的导通电阻RD(on)仅5.7mΩ，有效降低了功率损耗并提升了整体系统效能。无论在电源控制、电机驱动或是其他高功率应用场合，NTMFS4927N MOS管都能以其卓越的性能为您提供有力支持。
