NTMFS4C290N_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/70.0A 参数4：RDON/5.7mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTMFS4C290N 是一款高性能N沟道MOSFET，封装工艺采用紧凑型DFN5X6-8L，专为适应现代精密电子设备的小型化趋势打造。该器件具有优越的电气特性最大耐压值VDSS达30V，可承受高达70A的连续漏极电流ID，确保在严苛环境下稳定运作。尤为出色的是其超低导通电阻RD(on)仅为5.7mΩ，大大减少了能量损耗，提高了能源利用效率。无论在电源管理、高速开关或大电流驱动场景中，NTMFS4C290N MOS管都能以卓越的性能表现，满足您对高效、节能半导体组件的需求。
