SI7386DP-T1-E3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/70.0A 参数4：RDON/5.7mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7386DP-T1-E3 是一款采用先进DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管，专为高功率密度和空间受限的应用设计。其关键特性包括30V的最高栅源电压VDSS，以及高达70A的连续漏极电流ID，展现出卓越的电流承载能力。更值得关注的是，该器件具备极为优秀的导通电阻RD(on)，仅为5.7mΩ，能在大电流工作状态下显著减少功率损耗，提升整体系统的能效比。SI7386DP-T1-E3 MOS管广泛适用于电源管理、马达驱动等各种高要求的电子应用场合。
