SIR850DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/70.0A 参数4：RDON/5.7mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIR850DP-T1-GE3 是一款采用精巧DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管，针对现代电子设备的小型化及高效能需求设计。该器件提供了强大的电性参数30V的最大漏源电压VDSS，以及高达70A的连续漏极电流ID，保证在高功率条件下的稳定运行。其独特之处在于导通电阻RD(on)低至5.7mΩ，有效降低功率损耗，提高整体系统效率。SIR850DP-T1-GE3 适用于电源转换、电机驱动等高电流应用领域，以出色的性能服务于各类高端电子设计。
