FDMS7682_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/70.0A 参数4：RDON/5.7mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDMS7682 是一款采用紧凑DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管，专为现代高效能电子设备设计。该器件具有出色的电气性能，其最大漏源电压VDSS为30V，可实现高达70A的连续漏极电流ID，确保在大电流应用场景下保持稳定工作状态。尤其值得强调的是其卓越的导通电阻RD(on)仅为5.7mΩ，极大程度地降低了系统能耗，提升了工作效率。FDMS7682 适用于电源管理、电机驱动等高功率领域，以其出色的性能表现满足广大用户对于高效、节能半导体元器件的需求。
