AON6576_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/4.3mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AON6576 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装设计，专为高效率和小型化电子系统打造。该器件能够在30V的电压VDSS下稳定工作，提供高达80A的连续电流，满足大电流应用场景需求。其核心优势在于仅4.3mR的超低导通电阻RD(on)，大幅度降低了功率损耗，提高了系统能效。AON6576 广泛适用于电源转换、电机驱动、以及其他要求高效节能的半导体应用领域。
