CSD17506Q5A_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/120.0A 参数4：RDON/3.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
CSD17506Q5A 型号N沟道MOS管采用了紧凑型DFN5X6-8L封装设计，兼顾空间利用率和散热效果。器件额定电压VDSS为30V，具备高达120A的连续电流ID处理能力，充分满足高功率应用需求。其3.5mR的超低导通电阻，极大提升了系统能效，降低损耗。该MOS管广泛应用于电动车充电、电源转换器、电机驱动等场合，出厂前经过严格的质量检验，确保在极端条件下也能保持卓越稳定的性能表现。
