IRFH8324PBF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:DFN5X6-8L 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:5000圆盘 参数1:N沟道 参数2:VDSS/30.0V 参数3:ID/120.0A 参数4:RDON/3.5mR 标价:欢迎咨询
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产品介绍
IRFH8324PBF 型号N沟道MOS管,采用先进的DFN5X6-8L封装形式,结合了高效散热与小型化特点。器件额定电压VDSS为30V,支持高达120A的连续电流ID,展现了卓越的功率处理能力。其低至3.5mR的导通电阻,有效提升了能源转换效率,减少了系统损耗。广泛应用在快速充电设备、大电流开关电源等领域,出厂前历经严格质量测试,确保在各类苛刻环境中提供稳定、高效的性能输出。