IRFH5302DPBF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFH5302DPBF 型号N沟道MOS管，采用高效DFN5X6-8L封装，具有卓越的散热性能和紧凑体积，专为高密度电源管理和电机驱动设计。器件支持30V额定电压VDSS，提供强大的150A连续电流ID，配合仅2mR的超低导通电阻，确保系统具备极高能效和低损耗表现。广泛应用于电动车、电源、充电器及其他大电流开关领域，出厂前经过严格质量检验，确保在各种严苛条件下仍能保持稳定可靠的性能输出。
