ISC019N03L5S_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
ISC019N03L5S 型号N沟道MOS管，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备优良的散热性能与高集成度，特别适合现代电子设备的小型化需求。该器件额定电压VDSS为30V，支持高达150A的连续电流ID，凭借其2mR的超低导通电阻，显著提升了能源转换效率和系统性能。
