BSC018NE2LSI_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSC018NE2LSI N沟道MOS管以业界领先的DFN5X6-8L封装呈现，专为紧凑高效设计。该器件具有30V的击穿电压，提供高达150A的持续漏极电流，充分满足大电流应用需求。其亮点在于仅2mΩ的超低导通电阻，显著减少功率损耗并提高整体效能，广泛适用于电源管理、马达驱动等对效率及稳定性有高要求的领域，是您的电路优化升级之优选元件。
